Samsung, yapay zekâ sistemlerinin artan depolama ve veri aktarımı gereksinimlerine yanıt vermek üzere Z-NAND teknolojisini üç ayrı modele ayırıyor. Z-NAND-O, Z-NAND-T ve Z-NAND-I adını taşıyan sürümler; cihaz içi yapay zekâdan veri merkezlerine kadar farklı kullanım alanlarına odaklanacak.
Güney Kore merkezli bellek üreticisi Samsung’un geliştirdiği yeni çözümler, yapay zekâ altyapılarının ve cihazlardaki işlemcilerin ihtiyaç duyduğu hız ile bant genişliğini karşılamayı hedefliyor. Z-NAND-O’nun konsept modeli ağustos ayında düzenlenen bir etkinlikte sergilenmişti.
Üç model farklı performans ihtiyaçlarına odaklanıyor
Geliştirme aşamasındaki üç modelin her biri ayrı bir performans ölçütünü öne çıkarıyor. Z-NAND-O, cihaz içi yapay zekâ işlemleri için tasarlanıyor. NAND yongalarının dört ya da sekiz katman hâlinde dikey olarak üst üste yerleştirildiği bu bellek, akıllı telefonlar ve diğer mobil cihazlarda anlık veri aktarımını hızlandırmayı ve güç tüketimini azaltmayı amaçlıyor.
Z-NAND-T veri merkezlerini hedefliyor
Z-NAND-T, yüksek işlem hacmi ve veri akış bant genişliği gerektiren kullanımlara yönelik geliştiriliyor. Modelin, büyük miktarda veriyi hızlı biçimde aktarması gereken yapay zekâ veri merkezlerine hitap etmesi bekleniyor.
Z-NAND-I eşzamanlı işlemlere öncelik veriyor
Z-NAND-I ise saniyedeki girdi/çıktı işlem sayısına odaklanıyor. Çok sayıda okuma ve yazma talebinin aynı anda işlendiği veri tabanları ile yapay zekâ sunucularındaki iş yükleri bu modelin hedefleri arasında yer alıyor.
SK Hynix de AI-NAND serisini geliştiriyor
Samsung’un bu alandaki çalışmaları, benzer bir yaklaşım izleyen SK Hynix’in AI-NAND Family serisiyle aynı pazarda yer alıyor. SK Hynix’in serisinde performansa odaklanan AIN P, depolama yoğunluğunu önceleyen AIN D ve bant genişliği için geliştirilen AIN B modelleri bulunuyor.
