Micron’un geliştirdiği G11 NAND teknolojisi, G9 nesline kıyasla milimetrekare başına veri yoğunluğunu iki katına çıkarmayı hedefliyor. Yeni mimaride wafer-on-wafer bonding yöntemi kullanılacak; şirket ayrıca bit başına veri aktarımı için gereken enerjiyi yüzde 25’ten fazla azaltmayı amaçlıyor.
G11 ile yoğunluk 42 Gbit/mm² seviyesine çıkacak
Micron’un açıkladığı hedeflere göre G11, milimetrekare başına yaklaşık 42 Gbit veri yoğunluğu sunacak. G9 neslinde bu değer yaklaşık 21 Gbit/mm² düzeyindeydi. Böylece aynı fiziksel alanda daha fazla veri depolanabilecek ya da aynı kapasite daha küçük bellek yongalarıyla sağlanabilecek.
Yeni mimarinin enerji verimliliğini de artırması planlanıyor. Micron, bit başına veri aktarımında tüketilen enerjiyi yüzde 25’ten fazla düşürmeyi hedefliyor. Bu kazanım, sürekli ve büyük ölçekte veri işleyen yapay zeka altyapıları ile veri merkezleri için önem taşıyor.
Teknolojinin kurumsal depolama çözümlerinin yanı sıra tüketici SSD’lerine de katkı sağlaması bekleniyor. Yoğunluğun artması, üretim maliyetlerinin düşmesi durumunda daha yüksek kapasiteli SSD’lerin erişilebilirliğini artırabilir. Ancak Micron, G11’in tüketici SSD fiyatlarına etkisi hakkında henüz kesin bir bilgi vermedi.
Wafer-on-wafer bonding kullanılacak
G11’in öne çıkan yeniliklerinden biri, silikon plakaların birbirine bağlanmasını sağlayan wafer-on-wafer bonding yöntemi olacak. NAND bellek hücrelerinin bulunduğu katmanlar ile çevresel devreler ve giriş/çıkış mantığı ayrı silikon plakalar üzerinde üretilebilecek; ardından plakalar birleştirilecek. Bu sayede bellek dizisi ve kontrol devreleri ayrı ayrı optimize edilebilecek. Micron, yöntemin depolama yoğunluğu ve performans artışına katkı sağlayacağını belirtiyor.
Micron gelecekte kapasite artışını sürdürmeyi hedefliyor
Micron, sonraki mimarilerde yeni malzemeler ve daha yoğun bellek hücreleri kullanarak depolama kapasitesini artırmayı planlıyor.
